[发明专利]使用混合式激光划线和等离子体蚀刻方式的晶片切割中的激光划线沟槽开口控制

权利要求书

1.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括：

在所述半导体晶片上方形成掩模；

通过第一激光处理将所述掩模和所述半导体晶片图案化；

通过第二激光处理将所述掩模和所述半导体晶片图案化，其中所述第二激光处理与所述第一激光处理不同；以及

通过等离子体蚀刻处理来蚀刻所述半导体晶片以切单所述集成电路。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一激光处理具有第一强度并且所述第二激光处理具有第二强度，并且其中所述第二强度大于所述第一强度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二强度与所述第一强度的比例为大约3:1或更大。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第二强度为大约6μJ或更大，并且其中所述第一强度为大约3μJ或更小。

5.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一激光处理之后，所述掩模与所述半导体晶片之间的界面处基本上没有凹陷。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一激光处理与所述第二激光处理形成穿过所述掩模的第一开口和穿过所述半导体晶片的器件层的第二开口。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一开口与所述第二开口基本上对准。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二开口的最大宽度小于所述第一开口的最小宽度。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一激光处理形成穿过所述掩模并且进入所述半导体晶片的器件层中的开口，并且其中所述第二激光处理使所述开口延伸穿过所述器件层。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第二激光处理与所述等离子体蚀刻处理之间进行等离子体清洁操作。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述激光具有在10飞秒与100皮秒之间的脉冲宽度。

12.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括：

在所述半导体晶片上方形成掩模；

执行第一激光处理以形成穿过所述掩模并且进入所述半导体晶片的器件层中的开口；以及

执行第二激光处理以切单所述多个集成电路。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一激光处理具有第一强度并且所述第二激光处理具有第二强度，其中所述第二强度大于所述第一强度。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二强度与所述第一强度的比例为大约3:1或更大。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述第二强度为大约6μJ或更大，并且其中所述第一强度为大约3μJ或更小。

16.如权利要求13所述的方法，其中在所述第一激光处理之后，所述掩模与所述半导体晶片之间的界面处基本上没有所述掩模的凹陷。

17.如权利要求16所述的方法，其中在所述第二激光处理之后，所述掩模与所述半导体晶片之间的所述界面处具有所述掩模的凹陷。

18.如权利要求17所述的方法，其中穿过所述半导体晶片的开口的最大宽度小于穿过所述掩模的最小宽度。