[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180025916.0 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN115362551A 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 伊藤港;上妻宗广;冈本佑树 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/065;H01L25/07;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;G06N3/063;G06F12/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;陈岚
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个存储电路、切换电路、第一运算电路以及第二运算电路。多个存储电路分别具有保持权重数据的功能。切换电路具有切换存储电路中的任一个与第一运算电路之间的导通状态的功能。第一运算电路将基于输入数据与在切换电路中选择的权重数据的积和运算处理的第一输出信号输出到所述第二运算电路。包括多个存储电路的层层叠地设置在包括切换电路、第一运算电路及第二运算电路的层上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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