[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202180025916.0 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN115362551A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 伊藤港;上妻宗广;冈本佑树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L25/065;H01L25/07;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;G06N3/063;G06F12/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
多个存储电路；
切换电路；
第一运算电路；以及
第二运算电路，
其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能，
所述切换电路具有切换多个所述存储电路中的任一个与所述第一运算电路之间的导通状态的功能，
所述第一运算电路将基于输入数据与在所述切换电路中选择的所述权重数据的积和运算处理的第一输出信号输出到所述第二运算电路，
并且，多个所述存储电路设置在包括所述切换电路、所述第一运算电路及所述第二运算电路的层上层叠的层上。
2.一种半导体装置，包括：
多个存储电路；
切换电路；
第一运算电路；以及
第二运算电路，
其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能，
所述切换电路具有切换多个所述存储电路中的任一个与所述第一运算电路之间的导通状态的功能，
所述第一运算电路将基于输入数据与在所述切换电路中选择的所述权重数据的积和运算处理的第一输出信号输出到所述第二运算电路，
所述第二运算电路具有进行激活函数运算处理、量子化运算处理及第一池化运算处理的功能，
并且，多个所述存储电路设置在包括所述切换电路、所述第一运算电路及所述第二运算电路的层上层叠的层上。
3.一种半导体装置，包括：
多个存储电路；
切换电路；
第一运算电路；
第二运算电路；以及
第三运算电路，
其中，多个所述存储电路分别具有保持权重数据的功能，
所述切换电路具有切换多个所述存储电路中的任一个与所述第一运算电路之间的导通状态的功能，
所述第一运算电路将基于输入数据与在所述切换电路中选择的所述权重数据的积和运算处理的第一输出信号输出到所述第二运算电路，
所述第二运算电路具有进行激活函数运算处理、量子化运算处理及第一池化运算处理的功能，
所述第三运算电路具有进行所述第二运算电路输出的第二输出信号的第二池化运算处理的功能，
并且，多个所述存储电路设置在包括所述切换电路、所述第一运算电路及所述第二运算电路的层上层叠的层上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述存储电路包括第一晶体管，
并且，所述第一晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中所述金属氧化物包含In、Ga以及Zn。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，
其中所述切换电路、所述第一运算电路及所述第二运算电路包括第二晶体管，
并且，所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含硅的半导体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180025916.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转连接器装置
- 下一篇：在NR V2X中执行侧链路重传的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
