[发明专利]源晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 202180019624.6 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN115210882A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 余国民 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;李啸 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在微转印过程中使用的源晶片。源晶片包括：衬底；器件试样（110），其包括光电子器件；以及可断裂栓绳，其将器件试样固定到衬底。可断裂栓绳包括将可断裂栓绳连接到衬底的一个或多个断裂区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛克利光子有限公司，未经洛克利光子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180019624.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：布线模块
- 下一篇：喷涂喷嘴、喷嘴前端部及喷涂装置
