[发明专利]源晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于在微转印过程中使用的源晶片，所述源晶片包括：

衬底；

器件试样，其包括光电子器件；以及

可断裂栓绳，其将所述器件试样固定到所述衬底，所述可断裂栓绳包括将所述可断裂栓绳连接到所述衬底的一个或多个断裂区。

2.根据权利要求1所述的源晶片，其中所述断裂区或每个断裂区包括可断裂栓绳材料的颈部，所述可断裂栓绳材料的所述颈部跨所述器件试样与栓绳道之间的腔而延伸，所述栓绳道至少部分地环绕所述器件试样。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的源晶片，其中所述断裂区或每个断裂区比所述可断裂栓绳的相邻部分更薄。

4.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述断裂区或每个断裂区比所述可断裂栓绳的相邻部分更窄。

5.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述可断裂栓绳包括围绕所述器件试样的周边设置的多个断裂区。

6.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述器件试样仅通过所述可断裂栓绳的所述断裂区固定到所述衬底。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的源晶片，其中还包括在所述器件试样和所述衬底之间的牺牲层。

8.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述光电子器件由一种或多种III-V半导体材料形成。

9.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述光电子器件包括多个层。

10.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述器件试样包括一个或多个保护性外层。

11.根据权利要求10所述的源晶片，其中所述保护性外层包括：外部二氧化硅层、中间氮化硅层和内部二氧化硅层。

12.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述断裂区比所述可断裂栓绳的相邻区更弱。

13.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述光电子器件是选自由激光器、光电检测器和电吸收调制器构成的分组的光电子器件。

14.根据任何前述权利要求所述的源晶片，其中所述器件试样通过完全围绕所述器件试样而延伸的腔与所述衬底分离，其中所述腔由所述一个或多个断裂区桥接，由此将所述器件试样固定到所述衬底。

15.一种制备用于微转印过程的源晶片的方法，所述源晶片包括：

衬底；

器件试样，其包括光电子器件；以及

先导栓绳，其设置在所述器件试样和衬底的至少一部分上方；所述方法包括：

蚀刻所述先导栓绳，以限定可断裂栓绳，所述可断裂栓绳包括将所述可断裂栓绳连接到所述衬底的一个或多个断裂区。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括蚀刻所述衬底和/或器件试样，使得所述器件试样通过所述可断裂栓绳的所述断裂区固定到所述衬底。

17.根据权利要求16所述的方法，其中进一步蚀刻所述衬底和/或器件试样包括蚀刻掉位于所述器件试样和所述衬底之间的牺牲层。

18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中蚀刻所述先导栓绳包括图案化所述先导栓绳以限定所述一个或多个断裂区的初始步骤。

19.根据权利要求15-18中任一项所述的方法，还包括执行等离子体灰化过程的步骤，以移除所述可断裂栓绳的一部分。