[发明专利]功率光电二极管、用于将光纤耦接到功率光电二极管的方法以及光纤供电系统在审
| 申请号： | 202180015546.2 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN115136328A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 德鲁·W·卡德威尔;马克·P·德`伊夫林 | 申请（专利权）人： | SLT科技公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0304;H01L31/036;H01L31/054;H01L31/0693;H01L31/105;G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 张兵兵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开，提供了与基于III族金属氮化物和镓基衬底的功率光电二极管结构和器件的制造和应用相关的技术。更具体地，本公开的实施方式包括用于制作包括GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN结构和器件中的一个或多个的光电二极管器件的技术。此类结构或器件能够被用于包括光电子器件、光电二极管、光纤供电接收器等的各种应用。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 光电二极管 用于 光纤 接到 方法 以及 供电系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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