[发明专利]用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计

摘要

提供了各种承载环设计和配置，以控制位于晶片正面和晶边边缘处的沉积量。虽然沉积是在晶片背面进行，而在晶片正面不期望沉积，但该承载环设计可控制在晶片的诸多位置处的沉积量。这些位置包含晶边的正面、边缘和背面以及晶片的正面和背面。承载环的边缘轮廓被设计以控制处理气体流、正面清扫气体流、以及等离子体效应。在一些设计中，添加通孔至承载环以控制气流。边缘轮廓以及添加的特征可以降低或消除在晶片正面以及晶边边缘处的沉积。