[发明专利]用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计

权利要求书

1.一种环状结构，其在处理室中环绕半导体衬底，所述环状结构包含：

所述环状结构的内部，其具有内径；以及

所述环状结构的外部，其具有外径，

其中所述内部包含：

第一部分，其从所述环状结构的顶表面下伸；

第二部分，其从所述第一部分的底端水平地朝向所述环状结构的所述外径延伸；

第三部分，其从所述第二部分的远端以相对于所述第二部分呈锐角角度而朝向所述外径下伸；以及

第四部分，其从所述第三部分的底端水平地朝向所述外部延伸。

2.根据权利要求1所述的环状结构，其中：

所述环状结构的所述顶表面与所述半导体衬底的顶表面共平面；以及

所述第一部分从所述环状结构的所述顶表面竖直地下伸约所述半导体衬底的厚度的距离。

3.根据权利要求1所述的环状结构，其中所述第一部分与所述半导体衬底的外缘隔开预定距离。

4.根据权利要求1所述的环状结构，其还包含从所述环状结构的所述顶表面延伸穿过所述环状结构的所述第二部分的多个通孔。

5.根据权利要求4所述的环状结构，其中所述通孔具有预定直径，且被布置在与所述环状结构的所述第一部分相距预定径向距离处。

6.根据权利要求5所述的环状结构，其中相比于所述环状结构的所述第一部分，所述通孔较靠近所述第二部分的所述远端。

7.根据权利要求5所述的环状结构，其中所述通孔从所述环状结构的所述顶表面竖直地下伸至所述环状结构的所述第二部分。

8.根据权利要求1所述的环状结构，其还包含多个突片以支撑所述半导体衬底。

9.一种环状结构，其在处理室中环绕半导体衬底，所述环状结构包含：

所述环状结构的内部，其具有内径；以及

所述环状结构的外部，其具有外径，

其中所述内部包含：

第一部分，其从所述环状结构的顶表面下伸；

第二部分，其从所述第一部分的底端水平地朝向所述半导体衬底延伸；

第三部分，其从所述第二部分的远端竖直地下伸；

第四部分，其从所述第三部分的底端水平地朝向所述外径延伸；

第五部分，其从所述第四部分的远端以相对于所述第二部分呈锐角角度而朝向所述外径下伸；以及

第六部分，其从所述第五部分的底端水平地朝向所述外部延伸。

10.根据权利要求9所述的环状结构，其中：

所述环状结构的所述顶表面与所述半导体衬底的顶表面共平面；以及

所述第一部分从所述环状结构的所述顶表面竖直地下伸约所述半导体衬底的厚度的距离。

11.根据权利要求9所述的环状结构，其中所述第一部分与所述半导体衬底的外缘隔开预定距离。

12.根据权利要求9所述的环状结构，其中所述第二部分的所述远端在所述半导体衬底的外缘下方延伸。

13.根据权利要求9所述的环状结构，其中所述第三部分的第一端在所述第二部分的所述远端处形成直角。

14.根据权利要求9所述的环状结构，其还包含从所述环状结构的所述顶表面延伸穿过所述环状结构的所述第四部分的多个通孔。

15.根据权利要求14所述的环状结构，其中所述通孔具有预定直径，且被布置在与所述环状结构的所述第一部分相距预定径向距离处。

16.根据权利要求14所述的环状结构，其中所述通孔从所述环状结构的所述顶表面以非90度的角度下伸至所述环状结构的所述第四部分。