[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202180004480.7 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN114127955A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赵起越;石瑜 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一栅极、第一S/D电极和第一场板。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。第一和第二氮化物基半导体层共同具有有源部分和电隔离部分，有源部分和电隔离部分是非半导体的，并包围有源部分以形成沿第一方向延伸并通过有源部分彼此间隔的至少两个界面。第一栅极电极和第一S/D电极布置在第二氮化物基半导体层上方。第一场板设置在第二氮化物基半导体层上方，并沿第二方向延伸并穿过两个界面，使得场板延伸至电隔离部分，并在界面附近与第一栅极电极重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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