[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一氮化物基半导体层，其安置在衬底上方；

第二氮化物基半导体层，其安置在所述第一氮化物基半导体层上且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙，其中所述第一和第二氮化物基半导体层共同地具有有源部分和电隔离部分，所述电隔离部分为非半导电的且环绕所述有源部分以形成沿着第一方向延伸且通过所述有源部分彼此间隔开的至少两个界面；

第一栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方且沿着不同于所述第一方向的第二方向并跨所述两个界面延伸，使得所述第一栅极电极延伸到所述电隔离部分；

第一源极/漏极(S/D)电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方且平行于所述第一栅极电极；以及

第一场板，其安置于所述第二氮化物基半导体层和所述第一栅极电极上方且沿着所述第二方向并跨所述两个界面延伸，使得所述场板延伸到所述电隔离部分，且在所述界面附近与所述第一栅极电极重叠。

2.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一栅极电极和所述第一场板与所述两个界面水平地重叠。

3.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一场板具有在所述栅极电极的正上方且隔开第一距离的两个相对端部部分，所述第一距离大于所述两个界面中的一个到所述两个界面中的另一个的第二距离。

4.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一场板具有相对于所述中心部分沿着所述第一方向延伸的端部部分之间的中心部分。

5.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述中心部分在所述有源部分内，且比所述端部部分窄。

6.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一栅极电极具有在所述有源部分内且不被所述第一场板的所述中心部分覆盖的部分。

7.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第二栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方且沿着所述第二方向并跨所述界面延伸，其中所述第一S/D电极位于所述第一和第二栅极电极之间；以及

第二场板，其安置于所述第二氮化物基半导体层和所述第二栅极电极上方且沿着所述第二方向并跨所述两个界面延伸，以便在所述界面附近与所述第二栅极电极重叠。

8.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一和第二场板关于所述第一S/D电极对称。

9.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第二栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方且沿着所述第二方向并跨所述界面延伸，其中所述第一场板安置于所述第二栅极电极上方且进一步延伸以在所述界面附近与所述第二栅极电极竖直地重叠。

10.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一S/D电极位于所述第一和第二栅极电极之间，且具有不被所述第一场板覆盖的部分。

11.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一S/D电极位于所述第一和第二栅极电极之间，且所述第一场板为环形并围封所述第一S/D电极的至少一个部分。

12.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一S/D电极和所述第一场板彼此物理连接。

13.根据前述任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一S/D电极和所述第一场板由相同导电材料制成。