[发明专利]氮化物基半导体装置以及制造其的方法在审
| 申请号： | 202180004437.0 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN114127951A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;张啸;唐军;黃敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化物基半导体装置包含源极电极和漏极电极、第一栅极电极，以及第二栅极电极。所述第一栅极电极安置在所述源极电极与所述漏极电极之间。所述第一栅极电极包含第一栅极底部部分和第一栅极顶部部分。所述第一栅极顶部部分位于所述第一栅极底部部分上方且比所述第一栅极底部部分宽。所述第二栅极电极安置在所述第一栅极电极上方以及所述源极电极与所述漏极电极之间。所述第二栅极电极包含第二栅极底部部分和第二栅极顶部部分。所述第二栅极底部部分与所述第一栅极底部部分接触。所述第二栅极顶部部分位于所述第二栅极底部部分上方且比所述第二栅极底部部分宽。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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