[发明专利]氮化物基半导体装置以及制造其的方法

权利要求书

1.一种氮化物基半导体装置，其特征在于，包括：

第一氮化物基半导体层；

第二氮化物基半导体层，其安置在所述第一氮化物基半导体层上且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；

源极电极和漏极电极，其安置在所述第二氮化物基半导体层上方；

第一栅极电极，其安置在所述第二氮化物基半导体层上方以及所述源极电极与所述漏极电极之间，并且所述第一栅极电极包括：

第一栅极底部部分；以及

第一栅极顶部部分，其位于所述第一栅极底部部分上方且比所述第一栅极底部部分宽；以及

第二栅极电极，其安置在所述第一栅极电极上方以及所述源极电极与所述漏极电极之间，并且所述第二栅极电极包括：

第二栅极底部部分，其与所述第一栅极底部部分接触；以及

第二栅极顶部部分，其位于所述第二栅极底部部分上方并且比所述第二栅极底部部分宽。

2.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极电极进一步包括在所述第一栅极底部部分与所述第一栅极顶部部分之间的第一栅极中间部分，并且所述第一栅极中间部分比所述第一栅极底部部分宽。

3.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极中间部分比所述第一栅极顶部部分窄。

4.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二栅极底部部分与所述第一栅极中间部分具有相同宽度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极顶部部分和所述第二栅极顶部部分具有基本上相同宽度。

6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第一介电层，其从所述源极电极的顶表面延伸到在所述第一栅极顶部部分下方的位置。

7.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包围所述第一栅极电极并且在与所述第一栅极电极的界面处形成阶梯式轮廓。

8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：

第二介电层，其从所述源极电极上方的位置延伸以包围所述第一栅极顶部部分和所述第二栅极底部部分。

9.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二介电层具有延伸到所述第一栅极顶部部分与所述第二栅极顶部部分之间的区的部分。

10.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二栅极电极比所述第一栅极电极厚。

11.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极底部部分具有比所述第二栅极底部部分的高度小的高度。

12.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极底部部分与所述第二氮化物基半导体层接触。

13.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：

p型掺杂的氮化物基半导体层，其安置在所述第二氮化物基半导体层与所述第一栅极电极之间。

14.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述p型掺杂的氮化物基半导体层比所述第一栅极底部部分宽。

15.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二栅极电极堆叠在所述第一栅极电极上并且在高于所述源极电极和所述漏极电极的位置中。