[发明专利]发光二极管及制作方法在审
| 申请号： | 202180003029.3 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113841261A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 贾月华;彭钰仁;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开发光二极管，包括：半导体外延叠层，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面；透光性电介质层，位于所述半导体外延叠层的第二表面侧，具有多个开口贯穿所述透光性电介质层，形成多个贯穿孔；欧姆接触层，填充所述透光性电介质层的贯穿孔；粘附层，位于所述透光性电介质层远离半导体外延叠层的一侧；金属反射层，位于所述粘附层远离半导体外延叠层的一侧；其特征在于：所述欧姆接触层和粘附层之间含有防金属扩散层，可防止欧姆接触层中的金属往所述粘附层扩散，防止发光二极管的电压升高，欧姆接触层填充透光性电介质层的贯穿孔，可防止键合层的孔洞产生，提升发光二极管的打线良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180003029.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：从气态底物发酵生产2-苯乙醇
- 下一篇：三维NAND存储器及其制造方法
