[发明专利]发光二极管及制作方法

权利要求书

1.发光二极管，包括：

半导体外延叠层，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

透光性电介质层，位于所述半导体外延叠层的第二表面侧，具有多个开口贯穿所述透光性电介质层，形成多个贯穿孔；

欧姆接触层，填充所述透光性电介质层的贯穿孔，与所述第一导电类型半导体层接触；

粘附层，位于所述透光性电介质层远离半导体外延叠层的一侧；

金属反射层，位于所述粘附层远离半导体外延叠层的一侧；

其特征在于：所述欧姆接触层和粘附层之间含有防金属扩散层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防金属扩散层位于所述透光性电介质层的贯穿孔内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性电介质层填充所述透光性电介质层的贯穿孔并部分延伸至贯穿孔之外。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述欧姆接触层和粘附层含有相同的金属原子。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防金属扩散层中的金属原子的活动性低于欧姆接触层中的金属原子。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防金属扩散层为Pt，Ti，Ni，Cr中的一种或多种材料的组合。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性电介质层的厚度大于所述欧姆扩散层的厚度。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防金属扩散层的厚度为30nm~120nm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述欧姆接触层为导电金属化合物的一种或多种材料的组合，其中导电金属为Au、Ag或Al，另一材料至少包括Zn、Be、Ge、Ni。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性电介质层的厚度为100nm~500nm。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘附层为对透光性电介质层和金属反射层之间粘附好，透光率高的材料。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘附层为IZO或者ITO。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘附层的厚度为2~10nm。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层为单层或者多层结构，为氮化物、氧化物或氟化物中至少一种材料组成。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层具有70%以上的反射率。

16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层为Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf中的至少一种的金属或者合金形成。

17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的发光波长为红光或者红外光。

18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的半导体外延叠层还包含凹部，所述凹部自第二表面侧开口并延伸穿过有源层至底部靠近第一表面侧。

19.一种照明装置，其特征在于：包含权利要求1~18中任一项所述的发光二极管。

20.一种发光二极管的制作方法，包含以下步骤：

（1）提供一半导体外延叠层，包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述半导体外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

（2）在所述半导体外延叠层的第二表面侧形成透光性电介质层，在所述透光性电介质层上形成多个开口贯穿所述透光性电介质层，形成多个贯穿孔；

（3）在所述透光性电介质层的贯穿孔内形成欧姆接触层；

（4）在所述欧姆接触层上形成防金属扩散层；

（5）在所述透光性电介质层远离半导体外延叠层的一侧形成粘附层；

（6）在所述粘附层远离半导体外延叠层的一侧形成金属反射层。