[发明专利]三维存储器器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202180001807.5 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113454780B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 杨远程;颜丙杰;王迪;孔翠翠;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)存储器器件包括掺杂半导体层、堆叠层结构和沟道结构。堆叠层结构包括形成在掺杂半导体层上的交错的导电层和电介质层。导电层包括漏极选择栅极线和多条字线。沟道结构沿着第一方向延伸穿过堆叠层结构，并且与掺杂半导体层接触。漏极选择栅极线包括与沟道结构接触的第一电介质层以及与第一电介质层接触的第一多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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