[实用新型]一种用于半导体工艺的金属蒸发结构有效
| 申请号： | 202123227789.9 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN216473452U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14;C23C14/54;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，属于半导体技术领域，金属蒸发结构包括：坩埚层(1)，坩埚层(1)包括坩埚；用于装载金属源的金属源层(2)，金属源层(2)设置于坩埚的内部；坩埚为热传导率低于金属源、熔点高于金属源的金属锅；冷却层(3)，冷却层(3)围设在坩埚层(1)的外部，冷却层(1)的底部与坩埚层(1)的底部连接。本实用新型使用一种热传导率良好但低于金属源，且溶点远高于金属源和高热下不与金属源反应的金属埚，降低了冷却作用从而可使用较低蒸发功率进来防止金属气雾造成金属球的形成，以改进金属表面的形态和确保集成电路中MIM电容器的击穿电压进而保证MIM电容器和集成电路的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 金属 蒸发 结构 | ||
【主权项】：
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