[实用新型]一种用于半导体工艺的金属蒸发结构有效
| 申请号： | 202123227789.9 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN216473452U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14;C23C14/54;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 金属 蒸发 结构 | ||
1.一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述金属蒸发结构包括：
坩埚层(1)，所述坩埚层(1)包括坩埚；
用于装载金属源的金属源层(2)，所述金属源层(2)设置于所述坩埚的内部；所述坩埚为热传导率低于所述金属源、熔点高于所述金属源的金属锅；
冷却层(3)，所述冷却层(3)围设在所述坩埚层(1)的外部，所述冷却层(3)的底部与所述坩埚层(1)的底部连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述坩埚为钨坩埚，所述金属源层(2)为金源层。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述钨坩埚为内空椭圆结构，所述冷却层(3)与所述坩埚层(1)可拆卸连接，所述金属源层(2)设置于所述钨坩埚的底部。
4.根据权利要求3所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述钨坩埚的高度为26.4mm，所述钨坩埚的锅口直径为44.6mm。
5.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述坩埚层(1)的厚度为5mm。
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述冷却层(3)为冷却水层。
7.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述坩埚为钼坩埚，所述金属源层(2)为银源层。
8.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述金属蒸发结构还包括加热层(4)，所述加热层(4)设置在所述坩埚层(1)的内底部，所述加热层(4)位于所述坩埚层(1)与所述金属源层(2)之间。
9.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述坩埚层(1)上设有温度检测装置(11)。
10.根据权利要求1所述的一种用于半导体工艺的金属蒸发结构，其特征在于，所述金属源层(2)上均匀开设有多个蒸发槽(21)。
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