[实用新型]一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体有效

专利信息
申请号: 202123069631.3 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN217272697U 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 崔汉博;崔汉宽 申请(专利权)人: 上海高生集成电路设备有限公司
主分类号: F16L41/03 分类号: F16L41/03;F16L41/08;F23G7/06
代理公司: 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 代理人: 葛瑛
地址: 200000 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体,包括装置本体,所述装置本体包括工作台、底座和进气管路,所述底座位于装置本体顶部,所述底座内部中空式结构,所述进气管路设有三组,三组所述进气管路安装在工作台顶部,所述进气管路包括出气口、连接管和顶部管道,所述顶部管道底部固定在工作台顶部,所述连接管顶部固定在顶部管道底部,且连接管位于底座内部,所述出气口顶部焊接在连接管底部。该种装置的进气管路采用了内探式的设计,从而可以有效地把废气进行集中,进一步提高了对半导体废气的燃烧处理工作。
搜索关键词: 一种 半导体 废气 处理 设备 新型 内探式集气腔体
【主权项】:
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