[实用新型]一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体有效

专利信息
申请号: 202123069631.3 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN217272697U 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 崔汉博;崔汉宽 申请(专利权)人: 上海高生集成电路设备有限公司
主分类号: F16L41/03 分类号: F16L41/03;F16L41/08;F23G7/06
代理公司: 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 代理人: 葛瑛
地址: 200000 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 废气 处理 设备 新型 内探式集气腔体
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体,包括装置本体,所述装置本体包括工作台、底座和进气管路,所述底座位于装置本体顶部,所述底座内部中空式结构,所述进气管路设有三组,三组所述进气管路安装在工作台顶部,所述进气管路包括出气口、连接管和顶部管道,所述顶部管道底部固定在工作台顶部,所述连接管顶部固定在顶部管道底部,且连接管位于底座内部,所述出气口顶部焊接在连接管底部。该种装置的进气管路采用了内探式的设计,从而可以有效地把废气进行集中,进一步提高了对半导体废气的燃烧处理工作。

技术领域

本实用新型涉及半导体行业废气处理技术领域,具体为一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体。

背景技术

半导体废气多为有毒有害气体,对人体和环境危害严重,随着半导体行业的日益繁荣,产能激增,半导体厂商由于企业内部设施的限制对废气处理设备有更多各类需求,对处理效率有更高要求。

现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体有如下缺陷:

1、现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体在一般时焊接在平板上,从而使废气进行燃烧反应区,从而该种集气腔体不能有效把气体充分燃烧,从而影响集气腔体工作效率。

2、现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体在使用时,会导致废气燃烧堵塞的情况发生,不能顺畅地燃烧,从而影响工作人员使用。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体,解决了现有半导体废气处理设备新型内探式集气腔体不能把有效地使集气腔体把废气和火焰充分燃烧的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体,包括装置本体,所述装置本体包括工作台、底座和进气管路,所述底座位于装置本体顶部,所述底座内部中空式结构,所述进气管路设有三组,三组所述进气管路安装在工作台顶部,所述进气管路包括出气口、连接管和顶部管道,所述顶部管道底部固定在工作台顶部,所述连接管顶部固定在顶部管道底部,且连接管位于底座内部,所述出气口顶部焊接在连接管底部。

优选的,所述工作台顶部中端开设有清理凹槽,所述清理凹槽为中空式结构,所述清理凹槽顶部放置有盖板。

优选的,所述进气管路呈弧形状。

优选的,所述顶部管道侧边安装有小出气管,所述顶部管道顶部外侧安装有连接圈。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体。具备以下有益效果:

1、该种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体设有三组进气管路,该种进气管路的连接管和出气口均内探至底座内部,从而进气管路根据燃烧火焰的角度,确定内探管理的弯转角度,使废气与燃烧火焰充分接触,已达到最佳的燃烧处理效果,从而可以提高半导体废气处理的效率,提高工作人员的工作效率。

2、该种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体的进气管道呈弧形状,弧形状可以使半导体废气呈弧形进入进气管道,从而防止呈直线状滞留在进气管道内部,进步影响半导体废气在燃烧区燃烧,而进气管路内的顶部管道侧边设有小出气管,从而可以便于空气流动,从而防止进气管道内部堵塞。

附图说明

图1为本实用新型整体的结构示意图;

图2为本实用新型整体侧面的结构示意图;

图3为本实用新型整体顶部的结构示意图;

图4为本实用新型底部的结构示意图;

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