[实用新型]MOSFET器件及芯片有效
| 申请号： | 202123031598.5 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN216250741U | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 常东旭;王振达;周源;李静怡;王超;朱林迪;梁维佳;胡磊;杨棂鑫;邢岳 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 王乾旭;赵红凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOSFET器件及芯片。MOSFET器件包括半导体基板；间隔设置的多个场限环，场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及向半导体基板内延伸的第一掺杂区，相邻的第一掺杂区接触或交叠；环绕在场限环外侧的结终端延伸结构，结终端延伸结构包括第二掺杂区，第二掺杂区自半导体基板上表面向半导体基板内延伸，第二掺杂区与最外侧场限环中的第一掺杂区接触或交叠；相邻场限环中，内侧场限环的第一掺杂区的深度大于或等于外侧场限环的第一掺杂区的深度；多个场限环中，至少两个第一掺杂区的深度不同，最外侧场限环中第一掺杂区的深度大于或等于第二掺杂区的深度。本实用新型提供的MOSFET器件具有较强的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 芯片 | ||
【主权项】：
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