[实用新型]MOSFET器件及芯片

说明书

本实用新型提供一种MOSFET器件及芯片。MOSFET器件包括半导体基板；间隔设置的多个场限环，场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及向半导体基板内延伸的第一掺杂区，相邻的第一掺杂区接触或交叠；环绕在场限环外侧的结终端延伸结构，结终端延伸结构包括第二掺杂区，第二掺杂区自半导体基板上表面向半导体基板内延伸，第二掺杂区与最外侧场限环中的第一掺杂区接触或交叠；相邻场限环中，内侧场限环的第一掺杂区的深度大于或等于外侧场限环的第一掺杂区的深度；多个场限环中，至少两个第一掺杂区的深度不同，最外侧场限环中第一掺杂区的深度大于或等于第二掺杂区的深度。本实用新型提供的MOSFET器件具有较强的耐压性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOSFET器件及芯片。

背景技术

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，以及兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点。近年来，随着MOSFET器件的迅速发展，目前MOSFET已经在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业中得到了广泛应用。

在MOSFET器件中，通常在其终端区设置场限环(Field Limiting Ring，FLR)，以提高器件的耐压，满足低功率损耗需求。以外延片为例，可以首先在外延层表面生长一定厚度的氧化层，再对氧化层进行图案化处理，以形成多个注入窗口，通过注入窗口对外延层进行离子注入，之后高温氧化推结，形成多个扩散深度一致的掺杂区。由于终端区通过横向和纵向呈梯度缓慢拉开的设计方法，有效减缓电场集中，使得场限环可提高器件的耐压。

但是，随着市场对计算机、消费电子、汽车电子等产品的性能要求越来越高，也就对MOSFET器件的性能、尤其是耐压性能提出了更高的要求，因此如何进一步提高MOSFET器件的耐压，是目前有待解决的问题。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种MOSFET器件，以提高MOSFET器件的耐压。本实用新型还提供一种芯片，包括上述MOSFET器件。

为实现上述目的，本实用新型第一方面提供的一种MOSFET器件，包括：

半导体基板；

间隔设置的多个场限环，其中最内侧的场限环定义出有源区；每个场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及自沟槽侧部和底部向所述半导体基板内延伸的第一掺杂区，且相邻场限环的第一掺杂区接触或交叠；

环绕在多个场限环外侧的结终端延伸结构，所述结终端延伸结构包括第二掺杂区，所述第二掺杂区自半导体基板上表面向半导体基板内延伸，所述第二掺杂区与最外侧场限环中的第一掺杂区接触或交叠；

其中，相邻两个场限环中，内侧场限环的第一掺杂区的深度大于或等于外侧场限环的第一掺杂区的深度；多个所述场限环中，至少两个场限环的第一掺杂区的深度不同，最外侧场限环中第一掺杂区的深度大于或等于所述第二掺杂区的深度。

进一步地，相邻两个沟槽中，靠近所述有源区的沟槽的深度大于或等于远离所述有源区的沟槽的深度；多个沟槽中，至少有两个沟槽的深度不同。

进一步地，随着多个沟槽与所述有源区的距离由近至远，多个沟槽的深度由深至浅。

进一步地，随着多个沟槽与所述有源区的距离由近至远，多个沟槽的深度呈等差数列排布。

进一步地，随着多个沟槽与所述有源区的距离由近至远，多个沟槽的宽度由宽至窄。

进一步地，随着多个沟槽与所述有源区的距离由近至远，多个所述沟槽的宽度呈等差数列排布。