[实用新型]一种用于功率集成电路电源到地的ESD保护结构

摘要

本实用新型公开了一种用于功率集成电路电源到地的ESD保护结构，依次包括Si层、埋氧化层、P型衬底和P型衬底上的N型深阱，N型深阱上依次排布有第一N阱、第一P阱和第二N阱；第一N阱内包括第一N+注入区和第一P+注入区；第二N阱内包括第二P+注入区和第二N+注入区；第一P阱内包括多个N+注入区和多个P+注入区间隔排列；第一N+注入区和第二N+注入区连接至电源端；第一P阱内的多个N+注入区和多个P+注入区相互并联并连接至接地端。本实用新型通过简单的外部辅助触发电路连接SCR器件，当ESD事件发生时，外部电路结构开启，外部电路的导通电流触发SCR，从而帮助SCR器件开启，既不需要改变SCR器件内部结构，又降低了SCR触发电压。