[实用新型]一种超薄超结IGBT器件有效
| 申请号： | 202122767542.X | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN217280784U | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 吴玉舟;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 崔双双 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超薄超结IGBT器件，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N型外延层；位于所述第二N型外延层中的MOS结构。根据本实用新型，减薄芯片厚度，降低器件正向导通压降和开关损耗，同时降低器件热阻，提升导通电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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