[实用新型]一种超薄超结IGBT器件

权利要求书

1.一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，包括：

金属化集电极(1)；

位于所述金属化集电极(1)上的P型集电区(2)；

位于所述P型集电区(2)上方的N型FS层(3)；

位于所述N型FS层(3)上方的N型FS隔离层(4)；

位于所述N型FS隔离层(4)上方的第一N型外延层(5)及位于所述第一N型外延层(5)上方的第二N型外延层(6)；位于所述第二N型外延层中的MOS结构。

2.如权利要求1所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，所述第一N型外延层(5)中一相对的两侧通过深槽刻蚀回填工艺形成P柱(101)。

3.如权利要求2所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，所述第二N型外延层(6)中包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽(7)、位于所述沟槽(7)内设置的热生长的栅氧化层(8)、位于所述栅氧化层(8)内淀积的重掺杂多晶硅(9)及通过自对准工艺形成的P型体区(10),所述P柱(101)与P型体区(10)不连接。

4.如权利要求3所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，还包括位于所述沟槽(7)两侧且位于P型体区(10)内设置的相互独立的N型发射区(11)，所述第二N型外延层(6)上方淀积的硼磷硅玻璃(12)及位于所述硼磷硅玻璃(12)上方的金属化发射极(13)。

5.如权利要求4所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，还包括衬底，所述衬底为N型任意掺杂浓度或为P型任意掺杂浓度，且IGBT器件还可以适用P型沟道超结IGBT、碳化硅或氮化镓的半导体材料。

6.如权利要求1所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，不包括衬底，通过采用区融单晶硅为所述第一N型外延层(5)。

7.如权利要求6所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，IGBT器件背面的N型FS隔离层(4)可注入或者不注入，注入时的离子为磷、砷、氢或氦。

8.如权利要求7所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，所述第二N型外延层(6)通过外延形成或者通过在第一N型外延层(5)结构上由深槽刻蚀和回填形成P柱(101)，再通过N型高能注入将第一N型外延层(5)中顶部的P柱部分补偿为N型形成。

9.如权利要求8所述的一种超薄超结IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件的背面研磨至P柱(101)底端后继续研磨数微米，之后进行N型FS层(3)和P型集电区(2)的注入。