[实用新型]一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置有效
| 申请号: | 202122737548.2 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN216213295U | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 王海蓉;赵静梅;李敏;杨勇 | 申请(专利权)人: | 云南开放大学(云南国防工业职业技术学院) |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/316 |
| 代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 刘英 |
| 地址: | 650000 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及热氧化装置技术领域,具体揭示了一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,包括热氧化装置主体、注氧机、进气口、出气孔、固定架、第一连接板、加热器和多个支撑柱,所述热氧化装置主体的两侧均开设有通口,所述固定架设置于热氧化装置主体的底部。通过第一连接板、金属网、第二齿轮盘以及金属杆与热氧化装置主体之间的连接关系设计,使得工作人员可将待氧化处理的硅片依次利用两个金属网分别进行加工处理,使其工作人员在利用该装置对上一批硅片进行处理过程中,将下一批待处理的硅片置于另一个滤网内,便于再一次的加工处理,从而使得该热氧化装置对批量硅片的氧化加工处理的效率更高。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 光通信 设备 中的 硅片 氧化 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





