[实用新型]减少外延片自掺杂的外延基座有效
| 申请号： | 202122624007.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN216488003U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李青海;许武警;王振 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种减少外延片自掺杂的外延基座，该基座包括圆形底壁，与圆形底壁边缘相连的环形侧壁以及环形侧壁上部边缘外沿沿圆形底壁径向方向向外延伸出的环形部，圆形底壁和环形侧壁共同限定出一个用于容纳衬底片的腔体，圆形底壁开设有贯穿圆形底壁的小孔和大孔，在圆形底壁上设有N个沿圆形底壁边缘处周向均布的密集区域，其中，4≤N≤12，所述小孔均布在密集区域内的圆形底壁上，所述大孔均布在密集区域外的圆形底壁上，每个密集区域内小孔的总开口面积是圆形底壁面积的2.5％～10％。本实用新型能够消除衬底片对外延生长过程中带来的自掺杂影响，提高外延片生产良率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 外延 掺杂 基座 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司，未经徐州鑫晶半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122624007.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内置百叶框架
- 下一篇：一种便捷式吨袋智能物流托盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
