[实用新型]减少外延片自掺杂的外延基座有效
| 申请号: | 202122624007.9 | 申请日: | 2021-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN216488003U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 李青海;许武警;王振 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 减少 外延 掺杂 基座 | ||
1.一种减少外延片自掺杂的外延基座,该基座包括圆形底壁,与圆形底壁边缘相连的环形侧壁以及环形侧壁上部边缘外沿沿圆形底壁径向方向向外延伸出的环形部,圆形底壁和环形侧壁共同限定出一个用于容纳衬底片的腔体,圆形底壁开设有贯穿圆形底壁的小孔和大孔,其特征在于,在圆形底壁上设有N个沿圆形底壁边缘处周向均布的密集区域,其中,4≤N≤12,所述小孔均布在密集区域内的圆形底壁上,所述大孔均布在密集区域外的圆形底壁上,每个密集区域内小孔的总开口面积是圆形底壁面积的2.5%~10%。
2.根据权利要求1所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,圆形底壁的直径与衬底片直径相同,环形侧壁高度等于或高于衬底片的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,密集区域为半圆形,共设有4个。
4.根据权利要求3所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,所述环形部环宽为10mm~35mm,其上均匀密布有小孔,该环形部内的小孔总开口面积是环形部面积的50%~80%。
5.根据权利要求3或4所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于环形部环宽为30mm。
6.根据权利要求5所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,所述小孔孔径为0.1mm~0.3mm,所述大孔孔径为0.5mm~0.8mm。
7.根据权利要求6所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,所述小孔孔径为0.1mm,大孔孔径为0.5mm。
8.根据权利要求4所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,所述圆形底壁、环形侧壁和环形部由石墨制作而成。
9.根据权利要求4所述的一种减少外延片自掺杂的外延基座,其特征在于,圆形底壁上开设有三个用于容纳提升销的销轴孔,三个销轴孔轴向均布在圆形底壁上,且销轴孔与圆形底壁圆心的距离大于或等于圆形底壁的半径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





