[实用新型]电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构有效

专利信息
申请号: 202122578686.0 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN216214798U 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 洪崇瑜;林昱成 申请(专利权)人: 先发电光股份有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 实用新型提供的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构,包括一主动发光层设置于为P型半导体的一第一布拉格反射镜层和为N型半导体的一第二布拉格反射镜层之间;该主动发光层包括一多重量子井空间层设置于一P型空间层和一N型空间层之间;为P型半导体的一电流引导层设置于该第一布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧;一金属接触层设置于该电流引导层背离该主动发光层的一侧;一基板层设置于该第二布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧;该电流引导层的掺杂浓度于该电流引导层接触该金属接触层的一侧的一中心点浓度最高;本实用新型使一电流向该中心点集中,以增加产生的光通量。
搜索关键词: 电流 局限 垂直 共振 腔面射型 镭射 结构
【主权项】:
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