[实用新型]电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构

权利要求书

1.一种电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于，包括：

一主动发光层，其中包括：

一P型空间层；

一N型空间层；和

一多重量子井空间层，设置于该P型空间层和该N型空间层之间；

一第一布拉格反射镜层；

一第二布拉格反射镜层；

其中该主动发光层设置于该第一布拉格反射镜层和该第二布拉格反射镜层之间；

一电流引导层，设置于该第一布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧；

一金属接触层，设置于该电流引导层背离该主动发光层的一侧；

一基板层，设置于该第二布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧；

其中，该电流引导层受掺杂为P型半导体；

其中，该第一布拉格反射镜层为P型布拉格反射镜层，且该第二布拉格反射镜层为N型布拉格反射镜层；

其中，该电流引导层的掺杂浓度于该电流引导层接触该金属接触层的一侧的一中心点浓度最高。

2.如权利要求1所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于，进一步包括：

一氧化局限层，设置于该P型空间层和该第一布拉格反射镜层之间；其中，该氧化局限层包括一导电开口，且该导电开口对齐该电流引导层的该中心点设置。

3.如权利要求2所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于：

该金属接触层、该电流引导层、该第一布拉格反射镜层、该氧化局限层、该主动发光层和该第二布拉格反射镜层形成一圆柱型结构；

该圆柱型结构自该第二布拉格反射镜层向该金属接触层延伸，且该圆柱型结构的中心系对齐该电流引导层的该中心点设置。

4.如权利要求3所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于，进一步包括：

一保护层，包覆该圆柱型结构设置；其中，该保护层于连接该金属接触层的部分，设有一保护层开口；

一第一金属电极，包覆该保护层设置，且通过该保护层开口电连接该金属接触层；和

一第二金属电极，设置于该基板层背离该主动发光层的一侧。

5.如权利要求4所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于：

该保护层开口为一环形开口，且该环形开口的中心是对齐该电流引导层的该中心点设置。

6.如权利要求1所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于，进一步包括：

一离子布植区，布植于该第一布拉格反射镜层中；其中，该离子布植区水平环绕该第一布拉格反射镜层，即该离子布植区也水平环绕该中心点向该第一布拉格反射镜层垂直延伸的一中心轴。

7.如权利要求6所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于：

该金属接触层、该电流引导层、该第一布拉格反射镜层、该主动发光层和该第二布拉格反射镜层形成一圆柱型结构；

该圆柱型结构自该第二布拉格反射镜层向该金属接触层延伸，且该圆柱型结构的中心是对齐该电流引导层的该中心点设置。

8.如权利要求7所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于，进一步包括：

一保护层，包覆该圆柱型结构设置；其中，该保护层于连接该金属接触层的部分，设有一保护层开口；

一第一金属电极，包覆该保护层设置，且通过该保护层开口电连接该金属接触层；和

一第二金属电极，设置于该基板层背离该主动发光层的一侧。

9.如权利要求8所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于：

该保护层开口为一环形开口，且该环形开口的中心是对齐该电流引导层的该中心点设置。

10.如权利要求1至9中任一项所述的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，其特征在于：

该电流引导层的掺杂浓度自该中心点向水平方向扩散和自该中心点向该主动发光层的方向扩散，各形成一掺杂浓度的渐层。