[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202122511036.4 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN216213470U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 姜春亮;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件，属于功率半导体技术领域，其器件主体部的底端依次覆盖有第一导电类型衬底与导体漏极，器件主体部的顶端覆盖有导体源极；器件主体部由上往下依次划分为第一导电类型重掺杂区、第二导电类型轻掺杂区以及第一导电类型漂移区，器件主体部的顶端凹设有一深沟槽，以分别绝缘放置控制栅电极与屏蔽栅电极；第一导电类型重掺杂区的顶层外侧设置有缺口，该缺口填充为第二导电类型重掺杂区。本申请可以在SGT‑MOSFET结构的基础上，有效降低现有功率半导体器件的穿通击穿电压的温度系数，且结构简单、器件工作时的整体功耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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