[实用新型]一种冷启动性能优良的超辐射半导体二极管有效
| 申请号： | 202122237543.3 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN215578611U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 顾子洋;易鑫;漆启年;李同宁;游毓麒 | 申请（专利权）人： | 无锡源清瑞光激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L25/16;H01C7/00 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种冷启动性能优良的超辐射半导体二极管，涉及超辐射半导体二极管领域。该装置中，管壳为一腔体，管壳的侧壁上设有输出端口，相邻两侧壁贯穿固定有7个引脚；半导体制冷器设置于腔体底部，且半导体制冷器的冷面朝向腔体内；芯片组件包括热沉、过渡热沉、SLD芯片，热沉、过渡热沉、SLD芯片由下至上依次装配于在半导体制冷器的冷面上，热敏电阻焊接于半导体制冷器的冷面上。通过热敏电阻焊接于半导体制冷器的冷面上，能够满足SLD的预热时间短、启动速度快以及寿命长的要求。除此之外，既能实现没有过冲，冷启动时间短，又能实现稳态高精准度的状态的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冷启动 性能 优良 辐射 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
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