[实用新型]一种冷启动性能优良的超辐射半导体二极管

权利要求书

1.一种冷启动性能优良的超辐射半导体二极管，其特征在于，包括管壳、半导体制冷器、光纤组件、芯片组件、热敏电阻；所述管壳为一腔体，所述管壳的侧壁上设有输出端口，相邻两侧壁贯穿固定有7个引脚；半导体制冷器设置于所述腔体底部，且所述半导体制冷器的冷面朝向所述腔体内；所述芯片组件包括热沉、过渡热沉、SLD芯片；所述热沉、所述过渡热沉、所述SLD芯片由下至上依次装配于在所述半导体制冷器的冷面上，所述热敏电阻装配于所述半导体制冷器的冷面上；所述光纤组件分别与输出端口与SLD芯片连接。

2.根据权利要求1所述一种冷启动性能优良的超辐射半导体二极管，其特征在于，所述热敏电阻焊接于所述半导体制冷器的冷面上。