[实用新型]磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置有效
| 申请号： | 202122005197.6 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN215593178U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张汝康;孙佳琦;王国峰 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置，所述靶组件用于对放置在基台上的基片进行溅射，所述靶组件包括磁场调节器和靶材，所述磁场调节器用于与基台套合，从而与基台共同包围基片；所述靶材设于磁场调节器上，并与基台相对设置；所述磁场调节器包括第一磁体结构、第一腔体、第二腔体和第二磁体结构；第二腔体，围绕所述第一腔体设置，并沿所述第一磁体结构的轴线方向延伸至所述基台，从而形成一开口，所述开口用于当所述磁场调节器与所述基台套合时，收容所述基台和所述基片；第二磁体结构，绕设于所述第二腔体内，并设置在所述靶材与所述基台之间。通过增加在基台和靶材之间新的磁场来调节内磁场分布，以使得镀膜均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 组件 | ||
【主权项】：
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