[实用新型]磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置

权利要求书

1.一种磁控溅射装置的靶组件，其特征在于，用于对放置在基台上的基片进行溅射，所述靶组件包括：

磁场调节器，所述磁场调节器用于与所述基台套合，从而与所述基台共同包围所述基片；

靶材，设于所述磁场调节器上，并与所述基台相对设置；

其中，所述磁场调节器包括：

第一磁体结构；

第一腔体，所述第一腔体内设置有冷却液体，所述冷却液体和第一磁体结构密封在所述第一腔体内，所述靶材设于所述第一腔体外表面并与所述第一磁体结构的位置相对应；

第二腔体，围绕所述第一腔体设置，并沿所述第一磁体结构的轴线方向延伸至所述基台，从而形成一开口，所述开口用于当所述磁场调节器与所述基台套合时，收容所述基台和所述基片；以及

第二磁体结构，绕设于所述第二腔体内，并设置在所述靶材与所述基台之间。

2.如权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述第二磁体结构包括线圈，所述线圈的中心与所述靶材的中心一致。

3.如权利要求1所述的靶组件，其特征在于，所述靶材为圆柱体，所述靶材的横截面为圆形，所述基片的直径小于所述靶材的直径。

4.如权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述线圈的上表面与所述基片的上表面在同一水平面上。

5.如权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述线圈的上表面与所述基片的下表面在同一水平面上。

6.如权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述线圈的下表面的水平高度低于所靶材的下表面的水平高度。

7.如权利要求2所述的靶组件，其特征在于，所述线圈的高度大于所述基片与所述靶材之间的间距。

8.如权利要求1-7任一项所述的靶组件，其特征在于，所述第一磁体结构包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构，相邻的两个所述定磁铁靠近所述靶材一端的极性相反，所述磁体旋转结构带动全部所述定磁铁进行旋转。

9.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括：

基台，用于放置基片；

权利要求1-8任一项所述的磁控溅射装置的靶组件；

溅射腔体，用于密封所述基台和所述靶组件；

当所述靶组件中的磁场调节器与所述基台套合时，所述磁场调节器与所述基台共同包围所述基片，所述基片与设于所述磁场调节器上的靶材相对应，从而所述靶组件对所述基片进行溅射。

10.如权利要求9所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述靶组件中的所述第二腔体与所述溅射腔体可拆卸设置。