[实用新型]一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置有效
| 申请号： | 202121845764.2 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN215815777U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 戈西斌;段少波;王欣 | 申请（专利权）人： | 西安中熔电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/38 | 分类号： | H01H85/38;H01H85/055 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，包括壳体、激励源、冲击装置、导体、与所述导体并联的熔体，在导体预断口处下方的熔体预断口处设置有嵌套保护装置，所述熔体预断口处的嵌套保护装置上设置有供导体断开部分落入的容置腔；所述容置腔与所述导体断开部分形状相匹配；在所述冲击装置驱动下，所述导体断开部分可推动所述嵌套保护装置断开熔体。本发明的激励保护装置，通过设置嵌套保护装置，可阻止电弧在导体断口处复燃，同时提高灭弧能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌套 打断 导体 激励 保护装置 | ||
【主权项】：
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