[实用新型]一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置

权利要求书

1.一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，包括壳体、激励源、冲击装置、导体、与所述导体并联的熔体，其特征在于，在导体预断口处下方的熔体预断口处设置有嵌套保护装置，所述熔体预断口处的嵌套保护装置上设置有供导体断开部分落入的容置腔；所述容置腔与所述导体断开部分形状相匹配；在所述冲击装置驱动下，所述导体断开部分可推动所述嵌套保护装置断开熔体。

2.根据权利要求1所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，所述熔体预断口处的嵌套保护装置包括相对设置的两个嵌套保护块，所述嵌套保护块分别间隔设置于熔体预断口处；两所述嵌套保护块间形成所述容置腔。

3.根据权利要求2所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在每个所述嵌套保护块下方的壳体底部设置有辅助灭弧凹槽；所述嵌套保护块的下端位于所述辅助灭弧凹槽开口处。

4.根据权利要求2所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述壳体底部设置有凸棱，在所述凸棱上搭设有辅助灭弧结构；位于所述凸棱两侧的所述辅助灭弧结构与所述辅助灭弧结构所在腔室侧壁形成所述辅助灭弧凹槽。

5.根据权利要求1所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，所述熔体预断口处的嵌套保护装置包括相对嵌套设置于所述熔体预断口处上下两侧的两个嵌套保护块；靠近所述导体一侧的所述嵌套保护块上设置有所述容置腔。

6.根据权利要求5所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述熔体预断口处的嵌套保护装置上设置有至少一个灭弧腔室，在所述灭弧腔室中填充有灭弧介质，所述熔体穿设过所述灭弧腔室。

7.根据权利要求6所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述熔体上的所述嵌套保护装置上间隔设置有至少一个所述灭弧腔室；在所述灭弧腔室之间、或一侧、或两侧设置有开口背离所述导体的竖向凹槽，在所述竖向凹槽内设置有熔体嵌套切断块，所述熔体嵌套切断块顶端与所述竖向凹槽顶部间保留有运动间隙，其下端伸出所述熔体预断口处的嵌套保护装置外；所述熔体位于所述熔体嵌套切断块顶部端面处，在所述熔体嵌套切断块顶部端面两侧的熔体上分别设置有断开薄弱处。

8.根据权利要求1至7任一所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述导体预断口处设置有包覆所述导体预断口的嵌套保护装置。

9.根据权利要求8所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，所述导体预断口处的嵌套保护装置包括相对嵌套设置在所述导体预断口上下两侧的嵌套保护块。

10.根据权利要求1至7、9任一所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，所述壳体包括上壳体、下壳体和底盖，所述导体位于所述上壳体和下壳体之间，所述底盖封闭所述下壳体；位于所述熔体预断口处的嵌套保护装置两侧的所述下壳体上分别设置有供熔体穿过的熔体灭弧腔室，所述熔体灭弧腔室填充有灭弧介质。

11.根据权利要求10所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，所述熔体穿过的熔体灭弧腔室侧壁处设置为斜面结构；在靠近所述斜面结构一侧的灭弧物质内的所述熔体上设置有断开薄弱处，当所述熔体上的所述嵌套保护装置被推动向下运动时，所述熔体在断开薄弱处被拉断。

12.根据权利要求10所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述熔体灭弧腔室与所述导体之间的壳体壁上开设有供所述熔体穿过的透孔槽，所述熔体两端分别穿过所述透孔槽后与所述导体并联连接。

13.根据权利要求10所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，在所述底盖上设置有熔体断开后用于缓冲的缓冲装置。

14.根据权利要求1至7、9、11至13任一所述的嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，其特征在于，嵌套保护装置、辅助灭弧结构材质为受热时能产生灭弧气体的材料。