[实用新型]一种背照式光电探测单元和光电探测器

摘要

本申请公开了一种背照式光电探测单元，包括至少一个单光子雪崩二极管，位于单光子雪崩二极管掺杂区表面的输出金属和反射金属，输出金属与单光子雪崩二极管的输出连接，反射金属和输出金属属于同层金属，反射金属位于与单光子雪崩二极管PN结对应的区域内。本申请在单光子雪崩二极管掺杂区表面设置输出金属和反射金属，反射金属和输出金属属于同层金属，可以同时制作出来，简化背照式光电探测单元的制作工艺；反射金属位于单光子雪崩二极管PN结对应的区域内，当光线射入后，反射金属可以将未被PN结捕获的光子反射到PN结上，增强背照式光电探测单元的反射效果，提升背照式光电探测单元的光子检测效率。本申请还提供一种光电探测器。