[实用新型]一种背照式光电探测单元和光电探测器

权利要求书

1.一种背照式光电探测单元，其特征在于，包括至少一个单光子雪崩二极管，位于所述单光子雪崩二极管掺杂区表面的输出金属和反射金属，所述输出金属与所述单光子雪崩二极管的输出连接，所述反射金属和所述输出金属属于同层金属，其中，所述反射金属位于与所述单光子雪崩二极管PN结对应的区域内。

2.如权利要求1所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述反射金属与所述输出金属之间断开，且所述反射金属的电位与所述输出金属的电位不同。

3.如权利要求1所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述反射金属与所述输出金属连接至同一电位。

4.如权利要求3所述的背照式光电探测单元，其特征在于，当所述反射金属与所述输出金属之间存在间距时，还包括：

用于连接所述反射金属与所述输出金属的金属连接部。

5.如权利要求4所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述反射金属的形状为C字形，所述输出金属位于所述反射金属所在区域内。

6.如权利要求3所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述反射金属完全覆盖于所述输出金属所在的区域，所述反射金属包括多个相互连接的金属块。

7.如权利要求6所述的背照式光电探测单元，其特征在于，各个所述金属块的形状相同、面积相等。

8.如权利要求6所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述反射金属的外边缘与所述PN结的边缘对应，以使所述反射金属的面积最大化。

9.如权利要求8所述的背照式光电探测单元，其特征在于，所述PN结的俯视图为八边形，所述反射金属的外边缘为八边形。

10.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括如权利要求1至9任一项所述的背照式光电探测单元。