[实用新型]一种半导体测试头结构有效

专利信息
申请号: 202121609555.8 申请日: 2021-07-15
公开(公告)号: CN215180660U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 李义霖;任彬;郑东;杨文宝;石家全;李永奇 申请(专利权)人: 天津金海通半导体设备股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;F25D31/00
代理公司: 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 代理人: 蒋宏洋
地址: 300384 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型提供了一种半导体测试头结构,包括温控头及其上方安装的双层流道,双层流道包括制热层和制冷层,制热层内部设有制热通道,制热通道的两侧分别设有制热流道入口和制热流道出口,制冷层内部设有制冷通道,制冷通道的两侧分别设有制冷流道出口和制冷流道入口,制热流道入口、制热流道出口、制冷流道出口和制冷流道入口处分别设有一个电磁阀,温控头和每个电磁阀均信号连接至外部的控制器。本实用新型所述的半导体测试头结构,在外部输出功率相同时,能加速流体在流道内的流速,加快载温介质的传递速率,给测试头提供充足的制冷及制热量,当我们需要低温时,可关闭高温通道,需要高温时可关闭制冷通道,大大提高了能源利用率。
搜索关键词: 一种 半导体 测试 结构
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