[实用新型]一种半导体测试头结构有效

专利信息
申请号: 202121609555.8 申请日: 2021-07-15
公开(公告)号: CN215180660U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 李义霖;任彬;郑东;杨文宝;石家全;李永奇 申请(专利权)人: 天津金海通半导体设备股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;F25D31/00
代理公司: 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 代理人: 蒋宏洋
地址: 300384 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 测试 结构
【说明书】:

本实用新型提供了一种半导体测试头结构,包括温控头及其上方安装的双层流道,双层流道包括制热层和制冷层,制热层内部设有制热通道,制热通道的两侧分别设有制热流道入口和制热流道出口,制冷层内部设有制冷通道,制冷通道的两侧分别设有制冷流道出口和制冷流道入口,制热流道入口、制热流道出口、制冷流道出口和制冷流道入口处分别设有一个电磁阀,温控头和每个电磁阀均信号连接至外部的控制器。本实用新型所述的半导体测试头结构,在外部输出功率相同时,能加速流体在流道内的流速,加快载温介质的传递速率,给测试头提供充足的制冷及制热量,当我们需要低温时,可关闭高温通道,需要高温时可关闭制冷通道,大大提高了能源利用率。

技术领域

本实用新型属于测试封装检测设备领域,尤其是涉及一种半导体测试头结构。

背景技术

半导体研发和生产的前沿技术集中在美国的几个龙头企业,近年来国内电子产品用半导体芯片受到外国垄断企业的制约,核心芯片产品限制对我国出口。这对我国的半导体芯片行业是一个极大的挑战,但同时也是机遇。国内芯片厂家面临巨大的市场需求,同时也面临着提高芯片研发制造工艺的提升与突破。各大芯片厂家也竞相努力,提升芯片的开发与生产的技术水平,扩充研发人员力量与资金设备的投入。高性能芯片的研发与生产需要各项技术与设备的支撑,有很多的新增的技术要求需要我们设备厂家去研发,这对设备厂家特提出了更高的挑战。芯片的温度测试范围也从原有的常高温扩宽到低温、高温。那么测试头也面临了一系列的技术提升,这时就需要一种新型的半导体测试头结构。当前常见的测试头其内部结构多为回字型、圈型、全空型,这写常见的流道结构因为其内部存在较大的阻力,会降低流体在流道的流速,降低传热效率。

发明内容

有鉴于此,本实用新型旨在提出一种半导体测试头结构,以优化半导体在高低温测试环节中的热传递速率,提升能源利用率和测试设备性能。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种半导体测试头结构,包括温控头及其上方安装的双层流道,双层流道包括制热层和制冷层,制热层内部设有制热通道,制热通道的两侧分别设有制热流道入口和制热流道出口,制冷层内部设有制冷通道,制冷通道的两侧分别设有制冷流道出口和制冷流道入口,制热流道入口、制热流道出口、制冷流道出口和制冷流道入口处分别设有一个电磁阀,温控头和每个电磁阀均信号连接至外部的控制器。

进一步的,所述制热通道包括若干制热主流道、若干制热下分流道和若干制热上分流道,一个制热主流道、一个制热下分流道和一个制热上分流道组成特斯拉阀结构,若干特斯拉阀结构串联叠加后形成制热流道。

进一步的,所述制冷通道包括若干制冷主流道、若干制冷下分流道和若干制冷上分流道,一个制冷主流道、一个制冷下分流道和一个制冷上分流道组成特斯拉阀结构,若干特斯拉阀结构串联叠加后形成制冷流道。

进一步的,所述制冷通道的结构和制热通道的结构相同,且流道口的方向不同。

进一步的,所述制热层和制冷层均为矩形壳体结构,且制热流道入口和制热流道出口均位于温控头的左侧,制冷流道出口和制冷流道入口均位于温控头的右侧。

进一步的,所述温控头包括温度传感器及其上方安装的接触面板,温度传感器信号连接至控制器。

进一步的,所述温控头内的温度传感器为热电偶、热电阻、模拟温度传感器、数字温度传感器中的任一种。

进一步的,所述接触面板为矩形板。

进一步的,所述控制器为单独的PLC或者外部测试机台的控制器。

相对于现有技术,本实用新型所述的半导体测试头结构具有以下优势:

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