[实用新型]低压带栅单向可控硅静电防护器件

摘要

本实用新型实施例提供一种低压带栅单向可控硅静电防护器件，包括：P型衬底；P型衬底中设有N型埋层、N型深阱区和P型深阱区；N型深阱包括第一N阱，P型深阱包括第二P阱，N型深阱和第一N阱不等宽，P型深阱和第二P阱不等宽；第一N阱上有第一N+注入、第二P+注入、第三N+注入；N型深阱上有第四P+注入；P型深阱上设有第二P阱；第五N+注入的左部在N型深阱上，右部在P型深阱上和第二P阱上；第六N+注入的左部在第二P阱上，右部在P型深阱上；P型深阱上有第七P+注入；多晶硅栅极在第二P阱上；P型深阱的两个电极和第二P阱上的一个栅极电极均连接在一起并作为器件的阴极，第一N阱里的两个电极均连接在一起作为器件的阳极。