[实用新型]低压带栅单向可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：

P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上方为N型深阱区和P型深阱区；

所述N型深阱包括第一N阱，所述P型深阱包括第二P阱，所述N型深阱和所述第一N阱不等宽，所述P型深阱和所述第二P阱不等宽；所述第一N阱上有第一N+注入、第二P+注入、第三N+注入；所述N型深阱上有第四P+注入；

所述P型深阱上设有第二P阱；第五N+注入的左部在所述N型深阱上，右部在所述P型深阱上和所述第二P阱上；第六N+注入的左部在所述第二P阱上，右部在所述P型深阱上；所述P型深阱上有第七P+注入；多晶硅栅极在所述第二P阱上；

所述P型深阱的两个电极和所述第二P阱上的一个栅极电极均连接在一起并作为器件的阴极，所述第一N阱里的两个电极均连接在一起作为器件的阳极。

2.根据权利要求1所述的低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括五个场氧隔离区；其中，第一场氧隔离区在所述第一N+注入的左边，第二场氧隔离区在所述第一N+注入和所述第二P+注入之间，第三场氧隔离区在所述第三N+注入和所述第四P+注入之间，第四场氧隔离区在所述第六N+注入和所述第七P+注入之间，第五场氧隔离区在所述第七P+注入右边。

3.根据权利要求2所述的低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一场氧隔离区的左侧位于所述P型衬底表面，右侧位于所述N型深阱表面；所述第二场氧隔离区在所述第一N阱表面；所述第三场氧隔离区的左侧在所述第一N阱表面，右侧位于所述N型深阱表面；所述第四场氧隔离区在所述P型深阱表面；所述第五场氧左侧在所述P型深阱表面，右侧在所述P型衬底表面。

4.根据权利要求1所述的低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，当ESD脉冲到达器件的阳极，器件的阴极接低电位时，所述第二P+注入、所述第一N阱/所述N型深阱、所述P型深阱构成一个纵向寄生三极管PNP1，所述第一N阱/所述N型深阱、所述P型深阱/所述第二P阱、所述第六N+注入构成一个横向寄生三极管NPN1，所述第一N阱/所述N型深阱/所述N型埋层、所述P型深阱/所述第二P阱、所述第六N+注入构成一个纵向寄生三极管NPN2，当所述PNP1和所述NPN1、所述NPN2开启后，构成正向SCR路径，其击穿面为所述第五N+注入与所述第二P阱构成的反向PN结。

5.根据权利要求2所述的低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第三场氧隔离区和所述第五N+注入之间植入第四P+注入。

6.根据权利要求2所述的低压带栅单向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第三场氧隔离区和所述第二P+注入之间植入第三N+注入。