[实用新型]屏蔽栅沟槽器件有效
| 申请号： | 202121455626.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN215183980U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 覃源;高盼盼 | 申请（专利权）人： | 上海矽普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种屏蔽栅沟槽器件。一种屏蔽栅沟槽器件，具有一外延层，屏蔽栅沟槽器件包括：至少一引出端沟槽，位于外延层上；至少一栅极引出端，位于引出端沟槽内；栅极硅侧壁介质层，位于栅极引出端与引出端沟槽内壁之间，栅极硅侧壁介质层为增厚栅极硅侧壁介质层。本实用新型通过在栅极硅引出端区域，即栅极硅侧壁的栅极硅侧壁介质层为增厚栅极硅侧壁介质层的方式，增强引出端耐压能力，从而解决了压力测试之后BVDSS walk in的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 器件 | ||
【主权项】：
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