[实用新型]用于激光器芯片氧化工艺的气化炉

摘要

本实用新型提出一种用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，包括反应液体加温设备以及反应炉设备。该反应液体加温设备包括液体储备槽、加热装置以及气体提供装置。该气体提供装置经由一进气管线将载流气体打入储备腔室的液面之下，并对该储备腔室加热以生成蒸气，将蒸气经由出气管线送出至质量流量控制器。该反应炉设备包括反应炉本体、旋转载台以及真空气泵。其中该质量流量控制器的气体输出端连通至该反应腔室的顶侧以控制该蒸气输入至该反应腔室的流量。该旋转载台带动芯片旋转，经由数个连通至该真空气泵的抽气孔以使通过旋转该旋转载台于该旋转载台上形成涡流现象。本实用新型的氧化炉应用气体动力学的概念改善氧化工艺，以此提升氧化孔的等向性。