[实用新型]用于激光器芯片氧化工艺的气化炉

权利要求书

1.一种用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，包括：

一反应液体加温设备，包括一具有储备腔室的液体储备槽、一设置于该液体储备槽内侧或外侧的加热装置以及一连通至该储备腔室的气体提供装置，其中该储备腔室内储备有反应液体，该加热装置对该储备腔室内的反应液体加热以生成蒸气，该气体提供装置经由一进气管线将载流气体打入该储备腔室的液面之下，以将该储备腔室内侧的该蒸气经由出气管线送出至一质量流量控制器；以及

一反应炉设备，包括一具有反应腔室的反应炉本体、一设置于该反应腔室内侧的旋转载台以及一设置于该反应炉本体一侧的真空气泵，其中该质量流量控制器的气体输出端连通至该反应腔室的顶侧以控制该蒸气输入至该反应腔室的流量，该旋转载台供芯片设置并带动该芯片旋转，该反应腔室对应于该旋转载台的底侧设置有数个连通至该真空气泵的抽气孔以使通过旋转该旋转载台于该旋转载台上形成涡流现象。

2.如权利要求1所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该旋转载台包括一载台本体以及一设置于该载台本体一侧的转轴以及一带动该转轴枢转的驱动单元。

3.如权利要求2所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该载台本体包括一设置于该转轴上的承台、一设置于该承台上的加热线圈以及一设置于该加热线圈上供该芯片设置的石墨载盘。

4.如权利要求1至3中任一项所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该抽气孔以环状排列的形式分布在该反应腔室的底侧。

5.如权利要求4所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该反应炉设备包括一设置于该反应腔室顶侧并连接至该质量流量控制器的该气体输出端的气体导引盘，该气体导引盘具有一主腔室以及数个分布于该气体导引盘表面并连通至该主腔室的气体输出口。

6.如权利要求5所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该气体输出口放射状平均分布于该气体导引盘上。

7.如权利要求6所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该气体输出口的气体输出方向正交于该载台本体上承载该芯片的表面。

8.如权利要求7所述的用于激光器芯片氧化工艺的气化炉，其特征在于，该抽气孔设置于该载台本体相对该气体输出端对向侧的反应腔室壁面上。