[实用新型]超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 202121092565.9 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN214848640U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李长泽;李泽宏;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 辛鸿飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种超结MOSFET器件。该超结MOSFET器件包括N型外延层以及位于N型外延层上的元胞区和终端区，元胞区与终端区相接触；元胞区包括第一超结结构，第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，第一氧化层的外围设有源极金属；终端区包括第二超结结构，第二超结结构的上表面设有第二P型基区，第二P型基区的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有第二多晶硅栅极；根据第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极的状态，在第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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