[实用新型]超结MOSFET器件

权利要求书

1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，包括N型外延层以及位于所述N型外延层上的元胞区和终端区，所述元胞区与所述终端区相接触；其中，

所述元胞区包括第一超结结构，所述第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，所述第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，所述第一氧化层的外围设有源极金属，所述源极金属两端的宽度小于同侧的所述第一P型基区的宽度；

所述终端区包括第二超结结构，所述第二超结结构的上表面设有第二P型基区，所述第二P型基区的上表面设有第二氧化层，所述第二氧化层上设有第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极的上表面设有栅极PAD；

根据所述第一多晶硅栅极以及所述第二多晶硅栅极的状态，在所述第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。

2.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极包括第一N型多晶硅以及位于所述第一N型多晶硅的上表面的第一P型多晶硅，所述第一P型多晶硅与所述源极金属形成欧姆接触，所述第一N型多晶硅通过栅走线与所述栅极PAD连接。

3.根据权利要求2所述的超结MOSFET器件，其特征在于，每侧的所述第一P型基区中设有相接触的N+源区和P+体区，其中一侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的部分上表面与所述源极金属的一端连接，另一侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的部分上表面与所述源极金属的另一端连接。

4.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第二P型基区的宽度大于所述第一P型基区的宽度。

5.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一超结结构包括第一N柱以及位于所述第一N柱两侧的第一P柱，所述第一N柱为所述N型外延层的部分区域，每侧的所述第一P柱的上表面与位于同一侧的所述第一P型基区接触，所述第一N柱的上表面与所述第一氧化层接触。

6.根据权利要求2所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一N型多晶硅为掺杂硼的N型多晶硅，所述第一P型多晶硅为掺杂磷的P型多晶硅。

7.根据权利要求1至6任一项所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第二多晶硅栅极包括第二N型多晶硅以及位于所述第二N型多晶硅上表面的第二P型多晶硅，所述第二P型多晶硅与所述栅极PAD上的栅极金属形成欧姆接触。

8.根据权利要求7所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第二N型多晶硅包括相接触的第一N型多晶硅区域和第二N型多晶硅区域，所述第二N型多晶硅区域位于所述超结MOSFET器件的中心位置或靠近所述超结MOSFET器件的中心位置。

9.根据权利要求8所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一N型多晶硅区域连接栅走线，所述第一N型多晶硅区域的宽度等于所述第二P型多晶硅的宽度，所述第二N型多晶硅区域沿着栅叉指延伸至与所述第一N型多晶硅相接触。

10.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第二超结结构包括交替分布的第二N柱和第二P柱，所述第二N柱为所述N型外延层的部分区域，所述第二N柱的上表面和所述第二P柱的上表面均与所述第二P型基区相接触。