[实用新型]一种单晶生长真空系统的冷阱结构有效
申请号: | 202121069630.6 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN213492086U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 皮孝东;徐所成;王芸霞;沈典宇;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学杭州国际科创中心 |
主分类号: | B01D8/00 | 分类号: | B01D8/00;B01D53/00;B01D53/26;B01D49/00;C30B29/36;C30B35/00 |
代理公司: | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人: | 司晓蕾 |
地址: | 311200 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型属于单晶生长设备真空系统技术领域,特别涉及一种单晶生长真空系统的冷阱结构,包括壳体、冷却容器与捕集管道,本实用新型所述的冷阱结构,其捕集管道可以增加气体路径行程,也可以增加气体与冷却介质的接触面积;捕集管道安装在冷却容器内,冷却管道安装在捕集管道内,冷却管道与冷却容器连通且均存有冷却介质,冷却介质的温度比气体温度低,因此,进入捕集管道内的气体经内外双重冷却可以快速降温;气体中的水蒸气分子和某些熔点较高的杂质气体分子会液化,并和某些杂质颗粒一起沉积在捕集管道底部,从而降低排出气体中的杂质比率,同时也降低了气体回流概率,提高了加热炉内的真空度。 | ||
搜索关键词: | 一种 生长 真空 系统 结构 | ||
【主权项】:
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