[实用新型]一种单晶生长真空系统的冷阱结构有效
| 申请号： | 202121069630.6 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN213492086U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;王芸霞;沈典宇;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | B01D8/00 | 分类号： | B01D8/00;B01D53/00;B01D53/26;B01D49/00;C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 司晓蕾 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 真空 系统 结构 | ||
1.一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，包括：
壳体，设置有冷却容器，所述冷却容器用于容纳冷却介质；
捕集管道，安装在所述冷却容器内，所述捕集管道设有进气口、出气口、排液口及多个捕集器，气体由所述进气口进入捕集管道并经捕集器后自所述出气口排出，所述排液口用于排出捕集管道中的杂质液体与颗粒；
冷却管道，设置于所述捕集管道内部，与冷却容器连通；
所述捕集器沿所述捕集管道轴向安装，并且所述捕集器与所述捕集管道之间具有允许气体通过的间隙。
2.根据权利要求1所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述捕集器沿所述捕集管道轴向交叉间隔排列。
3.根据权利要求1所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于， 所述捕集器沿所述捕集管道在靠近所述出气口段安装。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，相邻两个所述捕集器沿所述捕集管道轴向间距为所述捕集管道内径的1/3～1/2。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，在所述捕集管道中，允许气体通过的间隙面积为所述捕集管道横截面积的25%～30%。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述捕集器与所述捕集管道的夹角为30°～75°。
7.根据权利要求1所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述排液口包括排液口主管道与排液口备用管道；所述排液口主管道靠近所述捕集管道的出气口设置；所述排液口备用管道靠近所述捕集管道进气口设置。
8.根据权利要求1所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述壳体轴向相对的外壁上设置有与所述冷却容器连通的进液管道与出液管道。
9.根据权利要求1所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述捕集管道包括2个以上的U型管，所述U型管相互连通。
10.根据权利要求9所述的一种单晶生长真空系统的冷阱结构，其特征在于，所述捕集管道与所述冷却管道横截面为同心圆环。
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