[实用新型]一种填充6

摘要

一种填充6LiF/10B4C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、Si3N4钝化层、圆孔阵列、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极，并在圆孔阵列内填充6LiF和10B4C组成的混合物中子转换材料，中子从正面肖特基金属电极入射；圆孔结构使内部的转换材料周围均被半绝缘GaAs所包围，有效增大各向同性发射的带电粒子进入半导体材料的概率，且适当的孔径，使能量沉积相对于集中在中高能部分，使其中子探测效率受甄别阈变化影响不大，有效提高中子和伽马的甄别比；填充不同尺寸颗粒的6LiF和10B4C，有利于提高转换材料填充致密度，有效提高中子探测器的探测效率。